FGAF20N60SMD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368005
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3PF |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FGAF20N60 |
| Размер фабричной упаковки | 360 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 7 g |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |