Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FGB40N60SM Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FGB40N60SM Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1368016

FGB40N60SM Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокTO-263AB (D2 PAK)
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияFGB40N60SM
Размер фабричной упаковки800
Минимальная рабочая температура- 55 C
Вес изделия1.312 g
Pd - рассеивание мощности349 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C80 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 400 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V