FJA13009TU Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJA13009TU |
Размер фабричной упаковки | 450 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | FJA13009TU_NL |
Вес изделия | 6.401 g |
Pd - рассеивание мощности | 130 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |