FJA4313RTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368112
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3P |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJA4313 |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Минимальная рабочая температура | - 50 C |
| Другие названия товара № | FJA4313RTU_NL |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 17 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |