FJAF4210RTU Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368114
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3PF |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJAF4210 |
| Размер фабричной упаковки | 360 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | FJAF4210RTU_NL |
| Вес изделия | 7 g |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 140 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |