FJAF4310OTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3PF |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJAF4310 |
Размер фабричной упаковки | 360 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | FJAF4310OTU_NL |
Вес изделия | 7 g |
Pd - рассеивание мощности | 80 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |