FJB5555TM Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Transistor
Характеристики
Упаковка / блок | D2PAK |
---|---|
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Reel |
Серия | FJB5555 |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Вес изделия | 1.312 g |
Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 14 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |