FJBE2150DTU Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368125
Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | D2PAK-2 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJBE2150D |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 1.880 g |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.25 kV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 5 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 |