FJE5304D Биполярные транзисторы - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar
Биполярные транзисторы - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | FJE5304D |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | FJE5304D_NL |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 30000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |