FJI5603DTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368134
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | I2PAK |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJI5603D |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Вес изделия | 2.084 g |
| Pd - рассеивание мощности | 100000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.6 kV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 5 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 20 |