FJL4215OTU Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-264 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJL4215 |
Размер фабричной упаковки | 375 |
Минимальная рабочая температура | - 50 C |
Другие названия товара № | FJL4215OTU_NL |
Вес изделия | 6.756 g |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 250 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 250 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.4 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 17 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |