FJL6920TU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJL6920 |
Размер фабричной упаковки | 375 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 6.756 g |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.7 kV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 85 |