FJP1943RTU Биполярные транзисторы - BJT PNP -250V -17A 80W Silicon
Биполярные транзисторы - BJT PNP -250V -17A 80W Silicon
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJP1943 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 80000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 230 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 at 1 A at 5 V |