FJP2145TU Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368159
Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJP2145 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Pd - рассеивание мощности | 120 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.151 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 15 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |