FJP5304DTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368167
Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FJP5304D |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | FJP5304DTU_NL |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |