FJPF5027OTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Trans
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Trans
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220F |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | FJPF5027 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | FJPF5027OTU_NL |
Вес изделия | 2.270 g |
Pd - рассеивание мощности | 40000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.1 kV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 15 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |