FP25R12KT4-B15 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368429
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | Module |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Конфигурация | Dual Modules |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |