FQA10N80C-F109 МОП-транзистор 800V N-Ch QFET Advance
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368473
МОП-транзистор 800V N-Ch QFET Advance
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FQA10N80 |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 240 W |
| Время спада | 80 ns |
| Время нарастания | 130 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 Ohms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |