FS100R12PT4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368819
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 135 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |