FS20R06W1E3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | EASY1B |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 24 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Pd - рассеивание мощности | 135 W |
Конфигурация | Hex |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |