Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FS50R06W1E3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FS50R06W1E3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1368915

FS50R06W1E3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокEASY1B
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаScrew
УпаковкаBulk
Размер фабричной упаковки24
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
КонфигурацияHex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C70 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V