FS50R12W2T4-B11 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Tray |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Pd - рассеивание мощности | 335 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 83 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |