Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FS75R12KE3-B9 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FS75R12KE3-B9 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1368942

FS75R12KE3-B9 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 125 C
Упаковка / блокModule
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTray
Размер фабричной упаковки10
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Pd - рассеивание мощности355 W
КонфигурацияIGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C105 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V