FSB660A Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1368971
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | Super SOT |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | FSB660 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | FSB660A_NL |
| Вес изделия | 30 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 0.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 |