FZ1800R17KF4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.8KA
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.8KA
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Конфигурация | Triple Common Emitter Common Gate |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1800 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |