Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FZ30R07W1E3-B31A Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FZ30R07W1E3-B31A Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369048

FZ30R07W1E3-B31A Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокEasyPack1B
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаThrough Hole
СерияFZ30R07W1
Размер фабричной упаковки24
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Другие названия товара №SP000884588
Pd - рассеивание мощности150 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C45 A
Ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V