FZ600R12KS4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | 62 mm |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Tray |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Pd - рассеивание мощности | 3900 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 700 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |