FZ800R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | 62 mm |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Tray |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 800 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |