Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FZ800R12KS4-B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FZ800R12KS4-B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369079

FZ800R12KS4-B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 125 C
Упаковка / блокIHM130
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
Размер фабричной упаковки2
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Pd - рассеивание мощности7.6 kW
КонфигурацияDual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C1200 A
Ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V