GS61004B-E01-TY МОП-транзистор 100V Enhancement Mode Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369197
МОП-транзистор 100V Enhancement Mode Transistor
Характеристики
| Торговая марка | GaN Systems |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | GaN |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 45 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Qg - заряд затвора | 6.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |