GS66504B-E01-TY МОП-транзистор 650V, 15A, E-Mode GaN
МОП-транзистор 650V, 15A, E-Mode GaN
Характеристики
Торговая марка | GaN Systems |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tray |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Qg - заряд затвора | 3.3 nC |