Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
HGT1S20N60C3S9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

HGT1S20N60C3S9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369226

HGT1S20N60C3S9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.45 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-263AB-3
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияHGT1S20N60
Размер фабричной упаковки800
Минимальная рабочая температура- 55 C
Вес изделия1.312 g
Pd - рассеивание мощности164 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C45 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V