Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
HGTD1N120BNS9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

HGTD1N120BNS9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369227

HGTD1N120BNS9A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.5.3 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-252AA-3
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияHGTD1N120
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Вес изделия260.370 mg
Pd - рассеивание мощности60 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C5.3 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V