Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
HGTG10N120BND Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

HGTG10N120BND Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369229

HGTG10N120BND Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.35 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияHGTG10N120
Размер фабричной упаковки450
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №HGTG10N120BND_NL
Вес изделия6.390 g
Pd - рассеивание мощности298 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C17 A
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V