hn1a01f-gr(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369246
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SM-6 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |