hn1b04fu-gr,lf Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369259
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, - 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V, - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV, - 100 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA, - 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 at 2 mA at 6 V, 120 at - 2 mA at - 6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at 2 mA at 6 V, 400 at - 2 mA at - 6 V |