hn1c01f-gr(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-26 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |