hn1c01fe-y,lf Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal Amp
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369261
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal Amp
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |