hn1c03fu-b(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369265
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | US-6 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 42 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |