hn3c51f-gr(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-26 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |