hn4b01je(te85l,f) Биполярные транзисторы - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369274
Биполярные транзисторы - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V @ NPN or 50 V @ PNP |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz (Min) |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 at 2 mA at 6 V |