hn7g01fe-a(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369277
Биполярные транзисторы - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
Характеристики
| Упаковка / блок | ES-6 |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 110 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 400 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1000 |