Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IGP30N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IGP30N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369428

IGP30N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокTO-220-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияIGP30N60
Размер фабричной упаковки500
Минимальная рабочая температура- 40 C
Другие названия товара №IGP30N60H3XK IGP30N60H3XKSA1 SP000702546
Pd - рассеивание мощности187 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C60 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V