Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IGW50N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IGW50N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369459

IGW50N60H3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.100 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияIGW50N60
Размер фабричной упаковки240
Минимальная рабочая температура- 40 C
Другие названия товара №IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3XK SP000702548
Pd - рассеивание мощности333 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C100 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V