Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IHW20N120R3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IHW20N120R3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369480

IHW20N120R3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокTO247-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияIHW20N120
Размер фабричной упаковки240
Минимальная рабочая температура- 40 C
Другие названия товара №IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3XK SP000437702
Pd - рассеивание мощности310 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.48 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C40 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер6.4 V