Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IHW25N120R2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IHW25N120R2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369487

IHW25N120R2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.50 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияIHW25N120
Размер фабричной упаковки240
Минимальная рабочая температура- 40 C
Другие названия товара №IHW25N120R2FKSA1 IHW25N120R2XK SP000212016
Pd - рассеивание мощности365 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C25 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 25 V