IHW30N110R3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1369489
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IHW30N110 |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Другие названия товара № | IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3XK SP000702510 |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |