Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IPB025N10N3-G МОП-транзистор N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IPB025N10N3-G МОП-транзистор N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369897

IPB025N10N3-G МОП-транзистор N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

МОП-транзистор N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокD2PAK-7
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияOptiMOS 3
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Другие названия товара №IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GXT SP000469888
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Время спада28 ns
Время нарастания58 ns
КонфигурацияSingle Quint Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.5 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки180 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Qg - заряд затвора206 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.200 S, 100 S
Типичное время задержки выключения84 ns
Типичное время задержки при включении34 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel