Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IPB029N06N3GE8187ATMA1 МОП-транзистор N-Ch 60V 120A D2PAK-2 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IPB029N06N3GE8187ATMA1 МОП-транзистор N-Ch 60V 120A D2PAK-2

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1369907

IPB029N06N3GE8187ATMA1 МОП-транзистор N-Ch 60V 120A D2PAK-2

МОП-транзистор N-Ch 60V 120A D2PAK-2

Характеристики

Упаковка / блокTO-263-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияIPB029N06
Размер фабричной упаковки1000
Другие названия товара №E8187 G IPB029N06N3 IPB029N06N3GE8187XT SP000939334
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности188 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.9 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Id - непрерывный ток утечки120 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Qg - заряд затвора53 nC
Тип транзистора1 N-Channel