Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IPB35N10S3L-26 МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IPB35N10S3L-26 МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1370050

IPB35N10S3L-26 МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокD2PAK-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияOptiMOS-T
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Другие названия товара №IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26XT SP000776044
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности71 W
Время спада3 ns
Время нарастания4 ns
Rds Вкл - сопротивление сток-исток26.3 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки35 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Qg - заряд затвора30 nC
Типичное время задержки выключения18 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Тип транзистора1 N-Channel