IPB35N10S3L-26 МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
МОП-транзистор N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | OptiMOS-T |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Другие названия товара № | IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26XT SP000776044 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 71 W |
Время спада | 3 ns |
Время нарастания | 4 ns |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26.3 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Qg - заряд затвора | 30 nC |
Типичное время задержки выключения | 18 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |